NAND邁入300層時代 三星、SK海力士為壓成本縮減HARC製程隨著3D NAND Flash堆疊層數突破300層,高深寬比連接導線(High Aspect Ratio Contact;HARC)蝕刻製程的次數、成本也愈滾愈大。為解決此痛點,三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK
NVIDIA傳HBM4採分級供應 三星有望獨拿高階GPU訂單在NVIDIA次世代GPU Vera Rubin發布前夕,有消息指出,其將依照產品性能區分高頻寬記憶體(HBM)供應來源。據分析,三星電子(Samsung Electronics)有望獨家供應最高階產品所搭載的第六代HBM4。據韓媒Chosun