突破高效能AI多芯片封装的瓶颈

欢迎莅临SEMICON Taiwan 2026成真公司展位，探索以玻璃基板为基础的AI系统封装解决方案！成真

想知道如何解决玻璃通孔（Through Glass Via；TGV）制造过程中的微裂缝问题吗？如何提供1,000 瓦（W）， 1伏特（V）与1000 安培（A）的电力给AI多芯片封装的IC芯片吗？如何增加玻璃面板尺寸以制造AI多芯片封装吗？诚挚地邀请您莅临Semicon Taiwan 2026成真公司摊位（南港展览馆1馆4楼 M0957）探索这些问题。

由于玻璃基板具备优异的热、机械与电气特性，已成为高效能AI多芯片封装极具潜力的平台。在2025年Semicon Taiwan 2025上，成真公司展出了聚合物通孔连接器（Through Polymer Via connector；TPV connector），提供内含垂直金属通道（vertical metal interconnect）的玻璃核心（Glass Core）新技术；此玻璃核心可以用于玻璃中介层（Glass Interposer）及BGA基板，用来解决TGV制造时在玻璃基板产生的微裂缝问题。

在今（2026）年Semicon Taiwan 2026，成真公司将展示多项创新解决方案，为高效能 AI 多芯片封装中的半导体 IC 芯片提供1,000瓦（W）、1伏特（V）及1,000安培（A）的电力。这些解决方案包括：于玻璃基板中嵌入铜块（Embedded Cu Block），作为电源（power supply）的垂直传输通道。将电压转换器／电压调节器（Voltage Converter/Regulator；VCR）芯片封装于AI多芯片封装中，使封装能够输入高电压电源（例如48V），并利用以铜块为基础的低电阻供电系统输入VCR，VCR再将高电压（例如48V）降至低电压（例如1V），以供多芯片封装中的半导体IC芯片使用。

于玻璃基板上方的金属连线架构（Frontside Interconnection Scheme）中嵌入矽桥（Si Bridge）、深沟槽去耦电容（Deep-Trench Decoupling Capacitor；DTC）及VCR芯片，提升系统整合能力并简化封装制程。于AI多芯片封装边缘配置电性／光学连接器（Electrical/Optical Connectors），取代传统AI多芯片封装底部的焊锡凸块（Solder Bumps），作为与外部电路的连接。

基于上述的创新技术与架构，成真公司开创了多芯片封装的新时代，成功将摩尔定律延伸至玻璃基板系统封装时代，加速高效能运算与AI应用的全面发展。