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加速前進的二維電晶體

隨著3nm實施日程的相繼公佈，摩爾定律似乎一步一步的走向盡頭。然而以二維材料為主軸的二維電晶體發展也一日快似一日，這就是俏皮話說的more Moore∼摩爾定律依然在走。

能源產業是製造業還是服務業

在前一篇「循環系統：從製造業到用戶體驗」，筆者提到兩個重要的觀點。一、永續發展目標（SDGs）第12項「負責任的消費與生產」表示彼此需開始對話，並藉由資通訊科技（ICT）的輔助去了解用戶體驗；二、生產者的責任不應止於商品售出，製造業應轉為製造服務業，按需求進行客製生產。

如何設計低耗能、高功效深度學習網路(三)

延續深度學習網路精簡設計的主題，我們必須在正確率不打折的情況下，設計出兼具低運算複雜度、低耗電、低參數量的智能算法。目前的設計原則是將「冗餘」的運算予以精簡。這些龐大運算以及冗餘由何而來，可以參考前文。本文中介紹剩下的兩種精簡設計策略。

中美貿易戰中的智財權爭議

中美貿易戰從一開始打起，核心爭議就始終圍繞在智慧財產權上面，美國不斷強調中國大陸侵犯其智慧財產權。筆者在中國大陸從事智財顧問業多年，有些關於大陸智財權的切身觀察想跟各位讀者分享。

半導體產業與政府政策

在我進入半導體行業後讀的第一次份產業報告中，當時全世界DRAM的廠家尚有26家。有些現在產品線早已移轉、在半導體業界鮮有聽聞的如沖電氣（OKI）都還在列中，NEC、Toshiba雖然已過其「花團錦簇、油烹鼎沸」的峰期，猶高居2、3名。

如何設計低耗能、高功效深度學習網路(二)

延續深度學習網路精簡設計的主題，為了符合商業價值（特別是邊緣計算的龐大機會），我們必須在正確率不打折的情況下，設計出兼具低運算複雜度、低耗電、低參數量的智能算法。目前的設計原則是將「冗餘」的運算予以精簡。原因是近來很多研究顯示目前的深度學習網路設計中夾雜了冗餘的參數以及運算。這些龐大運算由何而來，可以參考前文。依照這幾年的研究，我們將其整理為四種精簡設計策略，在本文中先介紹其中兩種。

3nm的競爭—三星的多橋通道場效電晶體

三星在5月剛開過的代工論壇中宣佈了3nm的工藝，從原來的鰭式場效電晶體（FinFET）改為多橋通道場效電晶體（Multi-Bridge-Channel FET；MBCFET）。這是閘極全環場效電晶體（Gate-All-Around FET；GAAFET）的一種，不是新創舉，但是現在元件物理嚴苛的要求讓其實施的必要性成熟了。

如何設計低耗能、高功效深度學習網路(一)

目前智能應用的普及來自近年機器學習技術的精進，其中最大的突破在於深度學習網路。給予適當的類神經網路架構以及足夠的訓練資料下，在各種智能應用中都有突破性的發展。而付出的代價則是龐大的參數模型以及運算量。舉例來說，常用的深度學習網路參數大約數百（千）萬個（浮點）參數，每次推論運算約需數個G-FLOPs，可以想像對於運算資源的需求十分龐大。

半導體製程的關鍵變化：FinFET製程已經看到盡頭了？(之三)

回顧過去早期的130nm~28nm時代，半導體製程以材料創新為主，包括銅製程、Low-k與HK/MG的材料變化。但近期的28nm~10mm世代，以3D的FinFET及2D的FD-SOI的結構性改善為主，而未來的7nm~3nm則以導入EUV來進行工程上的微細化，至於未來的3nm之後，則有待材料、結構的同步創新，且難度更高。無論是GAA、Nano-wire或FinFET with SOI，成本也都將會是天價。

半導體成國之大事　政府做法和角色宜調整

南韓的半導體政策4月正式出爐，擘劃的是由今至2030年長達10年的國家政策和執行方法。主要的目標是建立代工和設計的生態圈，成為全世界第一。投入的資源包括政策、稅收、資金、教育與人力資源、硏發、建立公共平台、創造產業需求以及公共工程採購等，動員的規模比之美國的量子信息計畫有過之而無不及。