英飞凌发布2026年GaN技术展望：技术创新引领GaN的高速成长

凭藉12寸 (300毫米) GaN晶圆制造技术，英飞凌的GaN产品展现出卓越性能，为各类应用场景带来优势。

氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正推动电力电子产业迎来一场重大变革。全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布《2026年GaN技术展望》，深度解析GaN的技术现况、应用场景及未来前景，为业界提供重要参考。

英飞凌科技氮化镓系统业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：「GaN应用已经在市场上落地，并且在多个产业获得了广泛关注。英飞凌致力于快速、高效地为客户创造价值。凭藉『从产品到系统』的解决方案、领先的制造实力，以及丰富的GaN产品组合，我们为客户提供的解决方案协助客户在市场上获得成功。我们将持续努力，保持英飞凌作为值得信赖的合作夥伴的地位，协助客户应对GaN技术所带来的挑战，充分释放其潜力。」

分析师预测，到2030年，GaN功率半导体市场规模可望接近30亿美元，较2025年市场规模成长400%。这一快速成长得益于2025年启动的大规模产能扩张，这推动了GaN技术在多个产业的广泛应用，还促进了该技术在新兴领域中的渗透。预计该市场在2025至2030年间的年复合成长率（CAGR）将达到44%，2026年其营收将达到9.2亿美元，较2025年成长58%。

到2026年，设计人员有望在光伏逆变器、电动汽车（EV）车载充电器之外，发掘更多GaN双向开关（BDS）的新型应用场景。英飞凌的高压GaN双向开关采用变革性的共汲极设计与双闸极结构，并基于成熟的闸极注入晶体管（GIT）技术。这种独特架构使同一漂移区可实现双向电压阻断，相较传统背靠背方案显着缩小了芯片面积。例如，采用英飞凌CoolGaN BDS（支持最高开关频率1MHz）的光伏微型逆变器在同等尺寸下功率提升了40%，同时降低了系统成本。

GaN技术的应用领域正在不断拓展，包括AI数据中心、机器人、电动汽车、再生能源等行业，以及数码健康、量子计算等新兴领域。在数据中心市场，采用新型拓扑结构的GaN电源实现了空前的效率与功率密度，功耗最多降低30%，助力部署更加高效紧凑的数据中心架构。在人形机器人领域，GaN马达驱动体积可缩减40%，同时还能提高对于精细运动的控制能力。

英飞凌是全球功率半导体领导者，以矽（Si）、碳化矽（SiC）和GaN领域的创新解决方案闻名。英飞凌凭藉垂直整合制造（IDM）战略，结合业界领先的系统理解能力，提供各种领先技术，满足产业不断变化的需求。凭藉300毫米GaN晶圆制造技术，英飞凌的GaN产品凭藉出色的性能表现，为各类应用场景带来优势。例如：全新CoolGaN 650V G5晶体管系列产品在品质因数（导通损耗与开关损耗的乘积）方面领先业界30-40%，可大幅提升系统性能和设计自由度。

英飞凌创新的CoolGaN Transistor MV G5系列产品在元件内整合了肖特基二极管，减少了15%的损耗，并将元件温度降低了10%以上，在缩小尺寸、降低成本的同时，提高了效率与可靠性。

英飞凌的全新CoolGaN 100V车规级晶体管系列产品进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。它满足AEC-Q101标准的严苛要求，可协助客户应对新一代汽车架构设计中从12V向48V系统转型的应用需求。

英飞凌拥有超过50款GaN产品的丰富产品组合，涵盖分立与高度整合解决方案，电压覆盖从40V至700V，布局消费电子、工业电子及汽车电子应用领域，可为广泛的功率应用场景提供各类解决方案。

2026年，凭藉出色的性能、效率与可靠性，GaN技术将进一步应用于电力电子产业。身为氮化镓技术的市场领导者，英飞凌致力于赋能客户与合作夥伴开拓新领域，共同打造未来的节能技术。

《2026年GaN技术展望》电子版现已在英飞凌官网上线，文中深入解读GaN技术的发展现况、产品布局、应用场景，以及未来的机遇与挑战。点击此处下载。