三星公开10纳米以下DRAM关键技术 可望导入0a、0b制程
- 陈玟静／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）与三星先进技术研究院（SAIT）日前公开可实现10纳米以下DRAM制程的技术，预计可应用于0a或0b DRAM。据韩媒Theelec报导，三星日前在美国旧金山举办的国际电子元件会议（I...
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