NAND迈入300层时代 三星、SK海力士为压成本缩减HARC制程
- 蔡云瑄／综合报导
随着3D NAND Flash堆叠层数突破300层，高深宽比连接导线（High Aspect Ratio Contact；HARC）蚀刻制程的次数、成本也愈滚愈大。为解决此痛点，三星电子（Samsung Electronics）与SK海力士（SK Hynix）...
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