SK海力士HBM4E逻辑裸晶传评估3纳米 性能跃进与产能风险两难
- 陈玟静／综合报导
日前有消息传出，SK海力士（SK Hynix）正积极评估，是否将台积电3纳米制程应用于第七代高带宽存储器（HBM4E）的逻辑裸晶（logic die），盼能借此一举翻转三星电子（Samsung Electronics）已抢先建立的性能优势。
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