传联电代工2D NAND有「三大关卡」　缺人、缺技术、缺设备

传联电可望接获快闪存储器代工订单，但业界认为，实际执行仍有多项瓶颈。李建梁摄（数据照）

国际存储器原厂退出2D NAND快闪存储器将成定局，受到供货稀缺已推升低容量2D NAND价格快速飙升，近期市场传出，联电可能接获SLC、MLC Flash的代工订单，或将打破未来2D NAND寡占供货的局面。

不过相关业者向DIGITIMES透露，过去数个月来，确实曾与联电讨论快闪存储器的代工机会，但人力、制程整合与开发能力以及设备等「三大关键因素」欠缺，成为最重要的卡关限制。

据供应链人士指出，NAND Flash价格从2026年以来涨势凶猛，涨幅甚至已超过DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供货缺口更为庞大，导致旧制程的低容量产品价格几乎翻涨10倍，近期下游业者传出，MLC NAND价格于4月约调涨近3成左右。

对于近期市场传出，有亚洲客户向联电提出快闪存储器的代工订单，外界普遍认为，目前MLC、SLC NAND价格强势，确实相比成熟逻辑制程更有获利空间。

但考量到机台本身的设备并不能直接使用，若要调整建置产线或新购机台，预计可能也要1~2年左右，加上目前2D NAND产能缺口庞大，对于供应链缺口难以达到缓解效果。

不过实际执行的瓶颈，却比外界预估得更复杂。

相关业者私下表示，为了解决MLC及SLC NAND供应困难，内部确实曾经向联电提议快闪存储器的代工可行性，但无论在人才、技术或设备等多方面，均存在高难度的瓶颈。

首先，潜在IP供应商或NAND原厂并不排斥进行授权合作，但考量到必须由具有实际量产经验的原厂提供支持，包括调派技术团队协助来导入制程。

然而，过去负责调校2D NAND机台设备的工程人员几乎已退休或离职，或转向到3D NAND技术量产，而现阶段NAND原厂将重心投入于3D NAND研发，以争取AI服务器应用的成长商机，在人力吃紧下，根本无法额外负担2D NAND技术支持。

其次，尽管联电曾在多年前进行存储器相关研发，且现阶段的厂房空间仍有余裕提供代工订单，但如今的核心技术已与存储器领域相差甚远，若要重新投入的资源耗费庞大，并需要一段时间来重新建立制程微调或良率调校等能力。

若只有提供产能空间而缺乏技术的情况下，无法自行协助客户进行制程开发、串接等环节，对于联电带来的实质获利，也将非常有限。

第三，设备问题也无解，由于国际原厂的老旧设备，在产线升级过程中已变卖或拆解，即使能找到旧机台，相关设备的维修零件或人力都将难以取得；先前日系大厂铠侠（Kioxia）亦曾向DIGITIMES表达，2D NAND等旧产品停产，并非是受到AI排挤产能效应，而是考量到维持旧设备生产的成本极高，且设备老化等因素。

但假使联电接获快闪存储器的代工订单，改以购买新设备重建，其导入流程与良率将与过去模式不同，可能需要重新尝试与研发。这意味着，投资回收将充满不确定性，而相关IC设计业者对于晶圆厂实际制程与量产并不熟悉，虽然合作的兴趣浓厚，但综合考量下，透过技术移转进行代工的构想，在短期内恐都缺乏可行的解决方案。

联电发言体系对于代工快闪存储器的市场传言并不评论，但日前已向客户与合作夥伴发出涨价信函，确定2026年下半调涨报价。

联电指出，2026年上半以来，观察到多元应用领域的需求展现出强劲韧性，包括通讯、工业、消费性电子以及AI相关领域，加上原物料、能源及物流等关键成本驱动因素的上升，故将于2026年下半实施晶圆价格调整。

相关供应链业者表示，此次联电在8寸及12寸产品线均提出调整，依照3.5个月周期推算，4月已投片的订单可望执行新价格，而8寸晶圆产线涨幅较高，可望达10~15%，12寸产线的80纳米、55纳米、40纳米等约有5~10%涨幅，不过仍将依照各家体量进行调整。

由于价格主要回补先前成熟制程的降价幅度，且部分IC业者已签订LTA长约，此次影响有限，未来将陆续转嫁至下游客户。

责任编辑：何致中