三星、SK海力士传2028年量产10纳米以下0a DRAM High-NA EUV同步上阵
- 陈玟静／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）与SK海力士（SK Hynix）传正以2028年量产10纳米以下级第一代（0a）DRAM为目标进行技术开发，并为此采用高数值孔径极紫外光（...
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
