存储器大缺引发长存、长鑫「龙头之争」 专利战一触即发
- 韩青秀／台北
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全球存储器持续严重缺货，尤其人工智能（AI）及云端应用，推升各界对于存储器货源需求急迫，DRAM与NAND Flash身价高涨，中国两大指标性存储器厂长鑫存储、长江存储，将打破各占半壁江山的格局。
长江存储跨入LPDDR5 DRAM将于2026年底试产，长鑫存储也要从DRAM抢进NAND Flash领域，业界推测，两家中系存储器厂最快将于2028年正面交锋，而长江存储透过Xtacking技术已推进至270层，这场中国存储器龙头之争，将以「专利攻防」成为关键战局。
供应链人士指出，长江存储以独家混合键合架构Xtacking技术起家，并突破美方卡关半导体设备进口的限制，已完成到294层3D NAND产品开发，包括三星电子（Samsung Electronics）、铠侠（Kioxia）等NAND原厂，将混合键合（Hybrid Bonding）作为未来高堆叠层数的必经发展路线。
甚至三星2025年更与长江存储达成「专利许可协议」，从第10代V-NAND（V10）开始，三星将采用长江存储的专利技术进行生产，俨然确立了混合键合在400层以上NAND堆叠的重要性。
存储器业进入超级周期，长江存储三期计划2026年底投产，初期规划约2.5万片DRAM产能，可望2027年完成产能爬坡，初期瞄准LPDDR5，展开第一步量产目标，且将预留扩产空间，预计后续两座新厂持续扩大DRAM量产规模，也把高带宽存储器（HBM）与3D DRAM研发列入未来蓝图。
长鑫也不甘示弱，近期传出将在北京设置NAND研发生产线。
市场传出，长鑫从长江存储内部进行挖角，原本在中国官方推动国产化供应链的既定政策下，两家中系存储器厂是「兄弟登山、各自努力」，在技术和产能各自发展下，联手投资中国半导体设备供应链，进而推动市场需求扩大。
然而随着两家中系存储器势力分别快速壮大，竞争格局愈形明确，转而走向各自建立配合生态体系，未来供应链恐怕也不得不选边站队。
业界认为，目前尚不清楚长鑫生产线将于何时投入营运，估计最快2028~2029年量产，但重点是长鑫将如何绕过长江存储的技术和专利，毕竟美国依然禁止美系企业向中国输出可制造128层及以上3D NAND的设备，若无法在3D NAND堆叠技术取得自有突破，长期发展终将面临限制。
近年来长江存储Xtacking专利战火已延烧到美国，直接状告美光（Micron），为了扞卫核心技术，即使是「亲兄弟也得明算帐」。何况长江存储、长鑫存储各自分据武汉及合肥，未来长鑫3D NAND迈入量产出货，恐怕第一关就得经过专利检视与攻防。
不过业界也认为，如今，日、韩、美系等存储器原厂大幅推升价格，而产能又无法满足客户需求时，反而迫使许多系统厂或终端品牌客户转向中国，寻求替代货源。
这等同为长存和长鑫打入国际大厂供应链之路，提供名正言顺的助攻与铺路，让中国厂商有机会打入以往难以接触的客户供应链。
虽然现下存储器需求正热，各家原厂不愿低价销售，但品牌随时能够过中国供应商作为谈判筹码，以及第二供应来源，未来一旦市场反转，中系存储器厂已站稳产业地位，透过庞大产能与低价策略，届时将能快速利用价格优势，力压竞争对手。
责任编辑：何致中
